半导体技术将随着GaN步入新纪元

2021-06-04 01:07 亚博官网买球

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本文摘要:伴随着设计方案看起来更为简易,技术工程师大大的寻找重做的半导体器件。氮化镓(GaN)原材料自打很多年前刚开始被IEEE国际性微波加热讨论会等最重要大会看作诸多发展趋势后,近些年早就逐渐稳定息息相通RF/微波加热运用于。 接下去,氮化镓将运用于在哪几个方面?它不会有什么局限性?将来又将带来什么概率?

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伴随着设计方案看起来更为简易,技术工程师大大的寻找重做的半导体器件。氮化镓(GaN)原材料自打很多年前刚开始被IEEE国际性微波加热讨论会等最重要大会看作诸多发展趋势后,近些年早就逐渐稳定息息相通RF/微波加热运用于。

接下去,氮化镓将运用于在哪几个方面?它不会有什么局限性?将来又将带来什么概率?  为了更好地问这种难题,小编访谈了在GaNSystems、宜普开关电源转换企业(EfficientPowerConversion;EPC)、TriQuintSemiconductor、MACOM与ElementSix等企业的研发部门。  对比于硅和氮化镓(GaAs),氮化镓在功率相对密度和功率脉冲信号层面具有优点,但自身也不会有技术性容许。

TriQuint基础设施建设和国防安全商品科学研究杰出主管DouglasH.Reep觉得,GaN功率晶体管必须超出10W/mm的功率相对密度及其高达500W的功率级,殊不知,从基础理论看来,氮化镓技术性的容许就取决于基础原材料特性的容许,及其大家利用氮化镓的想像力。  Reep答复,充分考虑氮化镓的最重要要素是晶体管速度工作标准电压中间的关联,好似Johnson给出的FoM数据信息下图。

他着重强调,在这类比较上,氮化镓展示出出带较GaAs更高1倍及其比硅晶更高2倍的特性优点。他补充讲到,氮化镓的产品研发经常偏重于在半导体材料和PCB环节的热管理方法。

  对于髙压部件,GaNSystems近期发布五款对于髙速控制系统设计提升的650VGaN晶体管。这种650V部件具有偏位电流量的工作能力、零反向恢复充电电池及其开关电源感观等作用。

该企业在去年初发布的100VGaN功率晶体管也某种意义不具有这种特点。  殊不知,现阶段的技术性容许取决于保持可信性的另外也必不可少提高工作标准电压,MACOM企业杰出技术性研究者TimBoles着重强调,必不可少提高工作电压参考点才可以搭建更高的功率可选高效率(PAE)和降低功率相对密度。

PAE在2.5到3.5GHz之上可适时地超出70%的增长幅度,他并预估,更高的偏置电压将可提高此项主要参数。  GaNSystems首席总裁GirvanPatterson则强调,透过工作电压是氮化镓的重要。

利用在碳碳复合材料上利用氮化镓,该企业已能在试验室中获得高达2,000V的工作电压。殊不知,他觉得,在当今根据硅的GaN技术性构造,透过工作电压仍遭受横着透过的容许。


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