新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学提供新的发展方向

最近，厦门大学物理和机电工程学院康俊勇教授课题组自律开发的新型宽带间隙半导体材料为深紫外光子学的发展取得了新的构想和方向。其秘诀是材料纯度和结构质量低，其中激子和光子的相互转化为特性，可以构筑浅紫外光的上升，大幅度提高激光器件的闪烁效率。

浅紫外线是指波长在280纳米以下的紫外线。该光源波长短，频率低，在水和空气净化、疾病化疗、信息技术等领域发挥独特作用。传统的浅紫外光一般由高压水银灯产生，体积大，电压低，毒性大，用氮化铝恩宽带间隙半导体产生浅紫外光，一般体积大，米粒大，数伏特，有毒有害，寿命长数百倍。

从2005年开始，康俊勇课题组开发了这种高纯度宽带间隙半导体浅紫外光源材料和设备，大大突破了结构瓶颈。

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